Биполярный переходный транзистор (BJT) — это трехконтактные полупроводниковые устройства, состоящие из положительно легированного полупроводника p-типа и отрицательно легированного полупроводника n-типа в конфигурации PNP или NPN. У них есть три терминала: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Их общая функция заключается в изменении тока эмиттера и коллектора в зависимости от значения тока базы. Актуальный справочник биполярных транзисторов можно найти здесь.
Это свойство можно использовать для достижения таких целей, как усиление сигнала или создание электронного переключателя.
Работа BJT зависит от смещения между двумя переходами . Диапазон его работы в основном состоит из трех регионов:
- Область отсечки
- Активная область
- Область насыщения
Область отсечки — это когда оба перехода имеют обратное смещение, и в результате через устройство протекает очень небольшой обратный ток насыщения. Эта область находится ниже кривой при IE = 0.
Активная область является , когда эмиттер-база находится в прямом смещении и коллектор-база перехода в обратном смещении. Выходной ток здесь практически линейно не зависит от входного тока.
Область насыщения имеет наибольшее применение в транзисторных переключателях. Чтобы транзистор находился в области насыщения, оба перехода должны иметь прямое смещение.